Дана 24. јуна, Поротецх, подружница Универзитета у Цамбридгеу и програмер ГаН Мицро ЛЕД материјала, саопштио је да је прикупио 3 милиона фунти (приближно 26,9 милиона РМБ), која ће се користити за промоцију развоја његовог следећег фаза Мицро ЛЕД технологије производње.
Према извештајима, Поротецх је развио нову врсту порозног полупроводничког материјала ГаН и тврди да је нови материјал побољшао перформансе у поређењу са постојећим материјалима. На основу јединственог процеса Поротецх [ГГ] # 39; Р / Г / Б ЛЕД могу се произвести користећи исти ГаН материјал и интегрисати у једну плочицу.
Иако је Поротецх издвојен са Универзитета Цамбридге у јануару 2020. године, компанија је у последњих 10 месеци остварила приход и заједно са неким светским произвођачима развила технологије приказивања следеће генерације.
У раним данима оснивања компаније [ГГ] # 39, Поротецх је примио око 1,5 милиона фунти. Фонд од 3 милиона фунти прикупљен овог пута користиће се за проширивање новог процеса за интеграцију ИнГаН РГБ Мицро ЛЕД диода за развој микро-екрана у пуној боји.
